基于图形衬底生长的GaN位错机制分析

• 作者: 席光义 李洪涛 江洋 汪莱 罗毅 薛小琳 赵维 韩彦军
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 金属有机气相外延 图形衬底 位错 缺陷选择性腐蚀
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 478-481
• 页数: 4页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.04.015

摘要

采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤.