柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响

• 作者: 席光义 李洪涛 江洋 汪莱 罗毅 赵维 韩彦军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 蓝宝石图形衬底 氮化镓 发光二极管 侧向生长
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3468-3473
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.093

摘要

在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断 PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩彦军		1	19	1.0	1.0