磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响

• 作者: 丁明惠 张丽丽 张宏森 王颖
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Zr-N薄膜 扩散阻挡层 Cu互连 射频反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1612-1614
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.54
• 字数: 2056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.10.007

摘要

在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响.沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	55	237	9.0	13.0
2	张宏森	黑龙江科技学院工程训练与基础试验中心	21	48	4.0	5.0
3	丁明惠	哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院	13	65	4.0	7.0
4	张丽丽	哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院	20	70	5.0	8.0