沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响

• 作者: 于军 彭刚 徐玮 王晓晶 雷青松
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化纳米硅 磁控溅射 沉积压力 光学带隙
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 556-560
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2337字
• 语种: 中文

摘要

采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4～9 Pa)对薄膜结构和性能的影响.利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征.结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04～2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰, 随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132～96 Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	彭刚	华中科技大学电子科学与技术系	79	781	15.0	25.0
3	雷青松	华中科技大学电子科学与技术系	12	56	5.0	6.0
4	王晓晶	华中科技大学电子科学与技术系	14	109	5.0	10.0
6	徐玮	华中科技大学电子科学与技术系	9	35	4.0	5.0