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摘要:
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一种GaN宽禁带功率放大器的设计
宽禁带半导体
功率放大器
附加效率
GaN
宽禁带功率半导体器件技术
氮化镓
功率器件
碳化硅
宽禁带半导体
宽禁带器件应用技术专辑主编评述
宽禁带
碳化硅(SiC)
氮化镓(GaN)
主编述评
宽禁带半导体器件环境适应性验证技术
宽禁带半导体
应用验证
微波模块
组件
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 SiC和GaN宽禁带器件技术综述
来源期刊 空载雷达 学科 工学
关键词 宽禁带(WBG)器件 SiC GaN
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 48-52
页数 5页 分类号 TN304.23
字数 语种 中文
DOI
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2009(0)
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研究主题发展历程
节点文献
宽禁带(WBG)器件
SiC
GaN
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
空载雷达
季刊
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出版文献量(篇)
1048
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