衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 孙奉娄 惠述伟
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZAO薄膜 衬底温度 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 化学与材料科学
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4321.2009.02.003

摘要

利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300 ℃增加到400 ℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400 ℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3 Ω*cm、透过率为84 %,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙奉娄	中南民族大学等离子体研究所	76	434	13.0	15.0
2	惠述伟	中南民族大学等离子体研究所	2	31	2.0	2.0