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摘要:
利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Nd的掺杂.对薄膜进行了XRD测试,并计算了薄膜的晶粒尺寸、晶格常数以及内应力.结果表明,当原子配比Zn:Se=0.9:1时可制备较理想的Znse多晶薄膜,稀土Nd掺杂并未改变样品的物相结构,掺杂使得薄膜的晶粒尺寸减小,晶胞体积增加,内应力和晶格常数改变.实验还发现,适度的轻掺杂Nd可增加ZnSe薄膜的光透射性.
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文献信息
篇名 Nd掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响
来源期刊 信息记录材料 学科 物理学
关键词 ZnSe薄膜 微结构 真空蒸发 掺杂
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 20-23
页数 4页 分类号 O484
字数 2887字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-5624.2009.06.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李蓉萍 内蒙古大学物理科学与技术学院 28 132 7.0 9.0
2 何志刚 内蒙古大学物理科学与技术学院 4 20 3.0 4.0
3 安晓晖 内蒙古大学物理科学与技术学院 5 29 3.0 5.0
4 吴蓉 内蒙古大学物理科学与技术学院 5 15 3.0 3.0
5 李忠贤 内蒙古大学物理科学与技术学院 7 33 3.0 5.0
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信息记录材料
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1009-5624
13-1295/TQ
大16开
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18-185
1978
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