靶功率和基体偏压对BCN薄膜成分及结构的影响

• 作者: 唐光泽 孙明仁 徐淑艳 马欣新
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 物理学
• 关键词: BCN薄膜 靶功率 基体偏压 组织结构
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2009.04.005

摘要

利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮(BCN)薄膜,通过改变靶功率(70 W和210 W)和基体偏压(-50 V～-400 V)得到不同成分和组织结构的薄膜.采用X射线光电子能谱仪和傅立叶红外光谱仪分析了薄膜的成分和结构.结果表明:靶功率增加使得薄膜成分发生改变,而基体偏压改变对薄膜中各元素的原子百分含量几乎没有影响;基体偏压的增加会引起高能粒子对基体的轰击作用增强,有利于薄膜中B-N键的形成,而且轰击能量越高越有利于sp3杂化的B-N键形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马欣新	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	57	307	10.0	14.0
2	孙明仁	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	20	115	6.0	9.0
3	唐光泽	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	37	150	7.0	9.0
4	徐淑艳	东北林业大学森林持续经营与环境微生物工程黑龙江省重点实验室	6	31	4.0	5.0