In1-xGaxAsyP1-y/GaAs应变量子阱中电子和空穴能带的组分调制

• 作者: 张院生 郭子政 陈玉和
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 四元混晶 量子阱 组分 能带 应交
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 3-8
• 页数: 6页
• 分类号: O471.1
• 字数: 4503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2009.02.001

摘要

本文采用模型固体理论计算了In1-xGaxAsyP1-y/GaAs应变量子阱中电子和空穴的能带结构,研究了组分对能带的调制作用.结果衷明,In1-xGaxAsyP1-y/GaAs量子阱的能带类型及带隙依赖于阱材料In1-xGaxAsyP1-y的组分.当y=1.0,x在0～1.0范围时,量子阱In1-xGaxAsyP1-y/GaAs的能带为类型Ⅰ;当y=0.6,x在0.32～1.0范围时,量子阱的能带为类型Ⅱ.即通过调整阱材料组分,可以方便实现这种量子阱的能带转型(印类型Ⅰ-类型Ⅱ的转交).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子政	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	40	143	6.0	10.0
2	陈玉和	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	7	23	3.0	4.0
3	张院生	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	6	13	3.0	3.0