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关于CMOS集成电路的研制过程
原文服务方：
钟表
摘要：
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践
互补金属氧化物半导体集成电路
电源电流
缺陷
开关电流
频谱图形
测试向量
模拟CMOS集成电路SEL仿真验证研究
CMOS集成电路
单粒子闩锁
失效物理
仿真验证
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期刊影响力
钟表
主办单位：
轻工业钟表研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
1002-1795
CN：
61-1115/TH
开本：
大16开
出版地：
邮发代号：
创刊时间：
1970-01-01
语种：
chi
出版文献量（篇）
3536
总下载数（次）
0
总被引数（次）
159
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