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摘要:
通过射频磁控溅射技术在玻璃衬底和Si(111)村底上制备了Zn0.96Nd0.04O薄膜。XRD分析表明,Zn0.96Nd0.04O薄膜是具有C轴择优生长的纳米多晶薄膜,Nd以替位原子的形式存在于ZnO晶格,Nd掺杂没有改变ZnO晶格结构。从AFM图中看出,薄膜表面形貌较为粗糙,Si衬底薄膜的晶粒具有规律且晶粒尺寸大于玻璃衬底。
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文献信息
篇名 玻璃衬底和Si衬底制备的Zn0.96Nd0.04O薄膜的结构研究
来源期刊 中国材料科技与设备 学科 物理学
关键词 ND掺杂 ZNO薄膜 XRD AFM
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 48-50
页数 3页 分类号 O484.1
字数 语种
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 文军 渭南师范学院物理与电子工程系 39 136 7.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
ND掺杂
ZNO薄膜
XRD
AFM
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国材料科技与设备
双月刊
北京市回龙观文化大社区流星花园2区9-3
出版文献量(篇)
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