Si(001)面上外延生长的Ru2 Si3电子结构及光学性质研究

• 作者: 崔冬萌 李旭珍 谢泉 赵凤娟 陈茜
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学材料 Ru2Si3 第一性原理 外延 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 3152-3156
• 分类号: O481.1|O472+.3
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS20092911.3152

摘要

基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si3的带隙值随着晶格常数a取值的增大而增大.当a取值为1.093 nm时,体系处于稳定状态,此时Ru2Si3是具有带隙值为0.773 eV的直接带隙半导体.Ru2Si3价带主要是由Si的3p,3s态电子及Ru 4d态电子构成;导带主要由Ru的4d及Si的3p态电子构成.外延稳定态及其附近各点处Ru2Si3介电函数的实部和虚部变化趋势基本一致,但外延稳定态Ru2Si3介电函数的曲线相对往低能区漂移,出现的介电峰减少且峰的强度明显增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
5	陈茜	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	45	194	9.0	12.0
9	崔冬萌	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	34	3.0	5.0
13	赵凤娟	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	49	3.0	7.0