HRXRD研究退火时间对Mg掺杂p型GaN薄膜应变状态的影响

• 作者: 周勋 宁宁 熊杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低压金属有机化学气相外延 高分辨X射线衍射 p型GaN外延薄膜 外延应变
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 242-245
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.02.019

摘要

采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外延应变的影响.研究发现应变状态随退火时间变化而发生改变.退火前水平方向为压应变.在小于最佳退火时间(15min)的时间范围内进行退火时,由于受杂质Mg在退火过程中热扩散、替位行为引起的晶格畸变以及受主中心与价带之间的电子跃迁引起的电子效应等多种因素的影响,水平应变状态由压应变向张应变转变且随时间增加应变逐渐增强.退火时间增至30min时,由于N空位增多和复合体MgGs-VN的形成以及热应力等因素的多重影响,应变状态转变为压应变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	41	205	6.0	12.0
2	宁宁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	27	156	8.0	10.0
3	周勋		21	79	5.0	8.0