退火温度对NiZn铁氧体薄膜性能的影响

• 作者: 余忠 兰中文 孙科 李可为 赵晓宁
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 NiZn铁氧体薄膜 退火温度
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 所属期刊栏目: 纳米材料
• 页码范围: 86-88
• 分类号: TG1
• 字数: 1895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.z1.026

摘要

采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了NiZn铁氧体薄膜,研究了退火温度对薄膜性能的影响.采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构,原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌,振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能,结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的结晶状态越好,晶粒尺寸越大,饱和磁感应强度越高,面内矫顽力越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李可为	成都电子机械高等专科学校集成电路制造工程研究所	5	21	3.0	4.0
2	兰中文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	111	1184	19.0	29.0
3	余忠	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	842	16.0	26.0
4	孙科	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	53	316	9.0	15.0
5	赵晓宁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	18	2.0	3.0