Si1-x Gex:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

• 作者: 俞慧强 俞斐 吴军 张荣 王荣华 葛瑞萍 谢自力 赵红 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge薄膜 Si1-xGex C缓冲层 化学气相淀积 生长温度
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1205-1208
• 页数: 4页
• 分类号: O436
• 字数: 3340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093605.1205

摘要

用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-x Gex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响.结果表明:Si1-x Gex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低.这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-x Gex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低.