深亚微米CMOS SRAM SEE特性及加固技术研究

• 作者: 卢焕章 肖山竹 薛挺 贺兴华
• 来源期刊: 计算机工程与设计
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 COMS SRAM 单粒子效应 翻转截面 错误检测与纠正
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 嵌入式系统工程
• 页码范围: 2821-2825
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 4629字
• 语种: 中文

摘要

在空间环境甚至在地面环境中,受高能粒子等多种因素的的影响,深亚微米COMS SRAM很容易发生单粒子事件(single event effects,SEE),使得COMSSRAM中的存储数据发生翻转甚至直接将器件烧毁.对深亚微米CMOS SRAMSEE特性与器件基本存储结构、数据读写速度、集成度、供电偏压等的关系进行了研究,同时从器件级和系统级两个层面时CMOSSRAM抗SEE加固方法进行了研究,最后给出了一种基于高可靠性反熔丝型FPGA硬件实现的系统级抗SEU设计,该系统可以纠正单个字(32bit)及其校验位(7bit)数据的一位错,检测两位错,该设计具有强实时、高可靠性的特点,已通过了各类空间环境试验.