湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

• 作者: 刘尧平 刘章龙 崔秀芝 张天冲 杜小龙 梅增霞 苏希玉 薛其坤 郭阳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: znO 分子束外延 Si 湿法刻蚀
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 309-314
• 页数: 6页
• 分类号: O3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.048

摘要

利用射频等离子体辅助分子束外延法,在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜,系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响,以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明:Si(111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法.