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摘要:
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体材料一起。被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料
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AlGaN/GaN HEMT
低温特性
饱和漏极电流
阈值电压
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 GaN材料的特性与应用
来源期刊 中国照明 学科 工学
关键词 GAN
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 88-92
页数 5页 分类号 TN312.8
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研究主题发展历程
节点文献
GAN
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国照明
月刊
1728-2890
深圳市龙华新区民治街道布龙路南侧骏景华庭
出版文献量(篇)
4272
总下载数(次)
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