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GaN材料的特性与应用
GaN材料的特性与应用
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
GAN
摘要:
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体材料一起。被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料
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文献信息
篇名
GaN材料的特性与应用
来源期刊
中国照明
学科
工学
关键词
GAN
年,卷(期)
2010,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
88-92
页数
5页
分类号
TN312.8
字数
语种
DOI
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研究主题发展历程
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GAN
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国照明
主办单位:
平凡国际传媒有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1728-2890
CN:
开本:
出版地:
深圳市龙华新区民治街道布龙路南侧骏景华庭
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
4272
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6
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