直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能

• 作者: 丁万昱 柴卫平 王华林 赵景训
• 来源期刊: 大连交通大学学报
• 学科: 交通运输
• 关键词: ITO薄膜 磁控溅射 可见光透过率 方块电阻
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 61-64
• 分类号: U4
• 字数: 3232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9590.2010.06.014

摘要

利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5Pa,Ar/O2 流量比为20:0,溅射功率为250W,膜厚为200nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柴卫平	大连交通大学材料科学与工程学院	13	42	4.0	5.0
2	王华林	大连交通大学材料科学与工程学院	8	25	3.0	4.0
3	丁万昱	大连交通大学材料科学与工程学院	17	58	5.0	6.0
4	赵景训	大连交通大学材料科学与工程学院	2	45	2.0	2.0