通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能

• 作者: 朱嘉琦 王笑夷 胡超权 郑伟涛 陈红 韩杰才
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 生长温度 碳化锗 性能
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 515-518
• 分类号: O484.5
• 字数: 2025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.011

摘要

利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系.研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备.此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge-H和C-H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜在～5.3μm和～3.4μm处的光吸收,而且显著提高了薄膜的硬度.这些结果表明,提高生长温度是调制Ge1-xCx薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径.