直流磁控溅射制备氧化钒薄膜

• 作者: LIU Wei-guo 刘欢 周顺 杨旭 蔡长龙
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流磁控溅射 氧化钒薄膜 电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 151-154
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2429字
• 语种: 中文

摘要

讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜.通过设计正交试验,分析了氩气和氧气的流量比,溅射功率,工作压强,基底温度对氧化钒薄膜沉积速率和电阻温度系数TCR的影响,采用RTP-500型快速热处理机对氧化钒薄膜样品进行了退火热处理,实验结果表明:当Ar与O_2的比例为100:4,溅射功率为120W,工作压强为2Pa时,所获得薄膜TCR较大,都在-2%/K附近,最高的可达-3.6%/K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡长龙	西安工业大学光电微系统研究所	82	319	8.0	14.0
2	刘欢	西安工业大学光电微系统研究所	19	73	6.0	7.0
3	周顺	西安工业大学光电微系统研究所	32	113	6.0	8.0
4	杨旭	西安工业大学光电微系统研究所	4	14	2.0	3.0