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Open-Gate Undoped-AIGaN-GaN HEMT Structure for pH Sensing Application
Open-Gate Undoped-AIGaN-GaN HEMT Structure for pH Sensing Application
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摘要：
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Open-Gate Undoped-AIGaN-GaN HEMT Structure for pH Sensing Application | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | HEMT器件 GaN pH值 掺杂 遥感应用 结构 AN型 高电子迁移率晶体管 | ||
| 年，卷（期） | 2010,（7） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 1-6 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | TN386 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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HEMT器件
GaN
pH值
掺杂
遥感应用
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AN型
高电子迁移率晶体管
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期刊影响力
材料科学与工程：中英文A版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
季刊
ISSN：
2161-6213
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
语种：
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972
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