SiC肖特基势垒二极管的反向特性

• 作者: 商庆杰 张有润 张雄文 彭明明 李亚丽 杨克武 杨霏 潘宏菽 蔡树军 闫锐 陈昊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 反向阻断电压 反向泄漏电流 场限环 场板 离子注入
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 6-9
• 分类号: TN311.7|TN304.24
• 字数: 2351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.01.002

摘要

在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响.场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流.当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加.SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5 μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压.当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加.FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感.采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1300 V.讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求.当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量.