硅集成电路老炼时间确定和寿命预计

• 作者: 宁永成
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 老炼试验 寿命 温度 激活能
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 508-509
• 页数: 2页
• 分类号: TN306
• 字数: 1881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2010.04.023

摘要

文章基于阿列纽斯经验公式,利用相关标准中的数据,拟合得到硅集成电路老炼试验温度和时间的关系,根据这种关系可以确定在标准未规定的高温下硅集成电路的老炼时间,同时预计了硅集成电路的工作寿命.最后基于经典的温度应力加速试验模型进行了分析,并与前者进行了对比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁永成	中国空间技术研究院物资部可靠性中心	11	30	3.0	5.0