低损耗高介电常数CCTO陶瓷的制备与性能研究

• 作者: 张家良 董凡 邵守福
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CCTO 高介电常数 介质损耗 ZrO2 掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 21-24
• 分类号: TM28
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.12.007

摘要

为了降低CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3-yZry/2Ti4O12(CCZTO)的陶瓷样品.研究了ZtO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响.结果表明:所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优点的同时,介质损耗大幅降低;其介电常数和介质损耗的指标满足美国电子工业协会EIAZ5U标准,而温度系数αc性能指标优于EIAX7A标准所规定的±55 × 10-6/℃,是一种综合性能技术指标优良的新型高介电常数陶瓷材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张家良	山东大学物理学院	13	68	6.0	8.0
2	邵守福	山东大学物理学院	3	18	2.0	3.0