低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型

• 作者: 姚若河 欧秀平
• 来源期刊: 华南理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 薄膜晶体管 阈值电压 表面势
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 电子、通信与自动控制
• 页码范围: 14-17,43
• 页数: 5页
• 分类号: TN321
• 字数: 2695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-565X.2010.01.003

摘要

对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压. 考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子与信息学院	126	611	11.0	18.0
2	欧秀平	华南理工大学电子与信息学院	4	14	2.0	3.0