场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜

• 作者: 夏冬林 张兴良 王慧芳 石正忠
• 来源期刊: 建材世界
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 13-15,31
• 分类号: TQ17
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3963/j.issn.1674-6066.2010.02.005

摘要

以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜.在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜.该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响.利用XRD、SEM等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征.实验结果表明,外加电场可以明显地降低退火温度,缩短退火时间,退火温度为500℃时,薄膜开始晶化.且随着外加电场强度的加大,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
2	石正忠	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	6	37	4.0	6.0
3	张兴良	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0
4	王慧芳	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	5	27	3.0	5.0