Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响

• 作者: 刘长菊 王艳阳 苏未安 辛红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 缓冲层 PZT薄膜 Sr(Zr0.1Ti0.9)O3 取向度
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-7,11
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.04.002

摘要

采用sol-gel法制备了具有Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层的PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)薄膜,研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响.结果表明,较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的(111)择优取向,添加单层缓冲层(约20 nm)使其(111)取向度提高到90%;较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的(111)择优取向,添加四层缓冲层(约80 nm)使其(111)取向度降低到9%;缓冲层厚度对样品电性能有显著影响,其剩余极化强度由无缓冲层时的26.8×10-6 C/cm2增加到缓冲层厚度约为20 nm时的38.8×10-6 C/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏未安	江西理工大学理学院	14	23	2.0	4.0
2	王艳阳	西安建筑科技大学理学院	9	26	3.0	4.0
3	辛红	西安建筑科技大学理学院	6	20	2.0	4.0
4	刘长菊	江西理工大学理学院	5	10	2.0	3.0