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摘要:
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件.综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型与机理,如边界迁移、自旋阻塞、绝缘体-金属转变、丝导电、氧化还原反应等.阐述了忆阻器和忆阻系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景.
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文献信息
篇名 第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 忆阻器 忆阻系统 综述 忆阻机理 应用
年,卷(期) 2010,(4) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 78-82
页数 5页 分类号 TM50
字数 3817字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.04.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周济 清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室 117 1325 20.0 33.0
2 王睿 清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室 25 145 7.0 11.0
3 蔡坤鹏 清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室 3 48 1.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
忆阻器
忆阻系统
综述
忆阻机理
应用
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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