蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长

• 作者: 周勇 周勋 方亮 李艳炯 杨晓波 赵文伯 赵红
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlN基板 MOCVD 原子力显微镜 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 895-898
• 分类号: TN305
• 语种: 中文

摘要

结合 AlN 成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用 MOCVD 在(0001)面蓝宝石衬底上生长了 AlN 基板,用扫描电镜、原子力显微镜及 X 射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35 nm,(0002)和(1012)回摆曲线 FWHM 分别为 37"和712".详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方亮	重庆大学物理学院	62	513	12.0	18.0
2	赵红		11	53	4.0	7.0
3	赵文伯		20	159	5.0	12.0
4	周勋		21	79	5.0	8.0
5	周勇		14	49	4.0	6.0
6	李艳炯	重庆大学物理学院	6	7	2.0	2.0
8	杨晓波		11	33	3.0	5.0