基底温度对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的影响研究

• 作者: 任山令 左安友 李兴鳌 李永涛 杨建平 袁作彬 高雁军
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铜薄膜 直流磁控溅射 基底温度 热稳定性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 加工工艺
• 页码范围: 90-93
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3781字
• 语种: 中文

摘要

采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu_3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响.结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体,只有明显的Cu晶体.随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任山令	南京邮电大学理学院	8	13	2.0	3.0
2	左安友	湖北民族学院理学院	56	153	6.0	8.0
3	李兴鳌	南京邮电大学理学院	32	94	5.0	8.0
5	李永涛	南京邮电大学理学院	44	148	6.0	11.0
6	袁作彬	湖北民族学院理学院	29	93	5.0	8.0
9	高雁军	湖北民族学院理学院	8	21	3.0	4.0
10	杨建平	南京邮电大学理学院	8	50	4.0	7.0