线性变掺杂高阻漂移区LDMOS导通电阻的建模

• 作者: 柯导明 王龙 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 横向扩散金属氧化物半导体 高阻漂移区 线性变掺杂 导通电阻 解析模型
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 电子元器件
• 页码范围: 66-68
• 分类号: TN386
• 字数: 2075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2011.05.029

摘要

首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI软件对总导通电阻和各部分电阻进行模拟.经过讨论,得出其性能优于均匀掺杂高阻漂移区LDMOS的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子信息工程学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子信息工程学院	160	1135	16.0	26.0
3	高珊	安徽大学电子信息工程学院	28	89	6.0	8.0
4	王龙	安徽大学电子信息工程学院	6	3	1.0	1.0