双靶反应磁控共溅射制备Al掺杂ZnO薄膜及其光电性能

• 作者: 刘丹 刘涛 李合琴 武大伟
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: ZAO薄膜 反应共溅射 光电性质
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 230-234
• 分类号: TB43
• 字数: 2906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2011.04.009

摘要

采用双靶反应磁控共溅射法在Si(100)和载玻片衬底上制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计、紫外可见光分光光度计,四探针测试仪等手段对薄膜进行表征,研究了Al掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响.结果显示,Al掺杂未改变ZnO的晶体结构,ZAO薄膜沿(002)晶面生长,具有单一的紫光发射峰,在可见光区透过率大于80％,当Zn靶和Al靶溅射功率分别为100 W和20W时,ZAO薄膜的电阻率为8.85×10-4W·cm,表明利用双靶反应磁控共溅射法制备的ZAO薄膜具有较好的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘涛	合肥工业大学材料科学与工程学院	37	279	10.0	15.0
2	李合琴	合肥工业大学材料科学与工程学院	71	273	8.0	12.0
3	刘丹	合肥工业大学材料科学与工程学院	7	53	3.0	7.0
4	武大伟	合肥工业大学材料科学与工程学院	4	8	2.0	2.0