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硅圆片多层直接键合工艺研究
硅圆片多层直接键合工艺研究
作者:
何涛
张业鹏
聂磊
胡伟男
钟毓宁
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
多层键合
直接键合
三维封装
紫外
摘要:
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显著提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发性的预键合。通过红外透射观测键合界面,发现键合界面中心区无明显缺陷;对界面横断面的直接观测表明键合过渡层十分薄,证明了多层硅圆片已经结合成为一个整体,其键合工艺可应用于三维垂直通孔互连中。
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文献信息
篇名
硅圆片多层直接键合工艺研究
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
多层键合
直接键合
三维封装
紫外
年,卷(期)
2011,(6)
所属期刊栏目
材料、结构及工艺
研究方向
页码范围
800-802,843
页数
分类号
TN305.94
字数
语种
中文
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多层键合
直接键合
三维封装
紫外
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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