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摘要:
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显著提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发性的预键合。通过红外透射观测键合界面,发现键合界面中心区无明显缺陷;对界面横断面的直接观测表明键合过渡层十分薄,证明了多层硅圆片已经结合成为一个整体,其键合工艺可应用于三维垂直通孔互连中。
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文献信息
篇名 硅圆片多层直接键合工艺研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 多层键合 直接键合 三维封装 紫外
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 800-802,843
页数 分类号 TN305.94
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
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多层键合
直接键合
三维封装
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研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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