ZnO压敏防雷芯片工频耐受与通流能力的相关性

• 作者: 叶萃 庞驰 张雷 费自豪
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏防雷芯片 8/20μs通流能力 工频过电压耐受
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 26-28
• 分类号: TM34
• 字数: 2134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.06.008

摘要

为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20 μs通流能力试验.研究结果表明:工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庞驰	贵州大学材料与冶金学院	11	33	4.0	5.0
2	叶萃	贵州大学材料与冶金学院	5	24	3.0	4.0
3	费自豪		3	6	1.0	2.0
4	张雷		1	5	1.0	1.0