氩气压力对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

• 作者: 卢志超 周少雄 张承庆 方玲 朱景森 李德仁 胡小萍
• 来源期刊: 金属功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ar气压力 中频磁控溅射 AZO薄膜 XPS
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TM283|O484.4
• 字数: 2593字
• 语种: 中文

摘要

在普通玻璃衬底上利用掺杂2%(质量)Al2O3的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜.利用XRD、XPS、紫外可见分光光度计和Hall测试系统研究了Ar气压力(0.73～2.0 Pa)对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响.随着Ar气压力的增大,电阻率呈先减小后增大的趋势,在0.83 Pa时,AZO薄膜的电阻率为6.91×10-4 Ω·cm,在波长400～800 nm间的平均透过率超过86%.研究结果表明,Ar气压力对于AZO薄膜的导电性是一个敏感的参数,Ar气压力影响在薄膜沉积过程中氧空位的形成和分布,从而影响薄膜的导电性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢志超		40	150	8.0	10.0
2	李德仁		34	124	7.0	10.0
3	方玲		7	41	4.0	6.0
4	胡小萍		2	2	1.0	1.0
5	朱景森		4	3	1.0	1.0
6	张承庆		1	1	1.0	1.0