基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响

• 作者: 何翔 熊黎
• 来源期刊: 中南民族大学学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 基体温度 氩气压强 GZO薄膜 透过率 电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 70-73
• 分类号: TM914
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4321.2011.04.018

摘要

采用射频磁控溅射方法，用Ga2O3含量为1％的ZnO做靶材，在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜．结果表明：基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响．当温度为500℃，溅射气压为0．2pa时制备的GZO薄膜光电性能较优，方块电阻为7．8Ω／，电阻率为8．58×10^-4×·cm，可见光的平均透过率为89．1％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何翔	中南民族大学等离子体研究所	62	386	11.0	15.0
2	熊黎	中南民族大学等离子体研究所	1	11	1.0	1.0