氩气压强对直流磁控溅射ZnO:Al薄膜结构和性能的影响

• 作者: 任明放 成钧 王华 许积文
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流磁控溅射 ZAO薄膜 方块电阻 透光率 优值
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 764-767
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.05.028

摘要

基于Al2O3掺杂量为3wt%的氧化锌铝陶瓷靶材,采用直流无反应磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO:Al透明导电薄膜.研究了氩气压强对薄膜微观结构和光电性能的影响.结果表明:氩气压强对薄膜的平均透光率影响微小,其值均在86%以上,但对薄膜的微观结构和方块电阻有非常明显的影响.随着氩气压强的增大,薄膜的晶粒形状由片状向球状变化,并呈现出c轴择优生长特性.氩气压强在0.6～3.0 Pa范围内增长时,薄膜的方块电阻先缓慢减小,2.0Pa后急剧增大.在压强为1.5Pa时,薄膜具有最好的电学性能,其电阻率为1.4×10-3Ω·cm,方块电阻为10Ω/sq,优值为1.6Ω-1,符合评价标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
3	许积文	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	68	171	6.0	10.0
4	成钧	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	51	227	8.0	11.0