氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 王中健 王永刚 王龙彦 荆海 马仙梅 马凯
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: GZO 磁控溅射 氩气压强
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 836-839
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2~+1
• 字数: 2878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.013

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响.所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大.最小方块电阻可达17.6 Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10~(-4) Ω·cm.另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上.