基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺

• 作者: 吕佳楠 杨振川 闫桂珍 陈敬
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 氮化镓(GaN) MEMS
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 78-82
• 分类号: TN405.98
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2011.01.015

摘要

氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放技术是工艺研究的重点.设计、采用了一种全干法刻蚀技术,实现了(111)晶向硅衬底上的氮化镓基MEMS微结构的加工制造.利用提出的工艺方案,实现了多种悬浮GaN微结构的加工与测试表征实验.通过电子扫描显微镜(SEM)和光学轮廓仪进行了基本形貌表征;利用微拉曼光谱实验进行了加工结构的残余应力表征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬	香港科技大学电子与计算机工程系	5	15	3.0	3.0