基底温度对反应磁控溅射氮化铝薄膜的影响

• 作者: 佟莉娜 张琳琳 李晓娜 王丽格 董闯 黄美东
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝薄膜 基底温度 反应磁控溅射法
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 715-718
• 分类号: O484.4
• 字数: 1431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.05.016

摘要

采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,利用纳米压痕仪测试薄膜样品的硬度及弹性模量,用椭圆偏振仪及光栅光谱仪测试了薄膜样品的光学性能,分析和研究了基底温度对AlN薄膜的结构及性能的影响.结果表明,用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,属于六方晶系,温度对AlN(100)面衍射峰强度影响不大,但对(110)面衍射峰的影响较大,因而温度对AlN的择优取向有一定影响.AlN(100)峰半高宽随温度升高而减小,表明晶粒尺寸随温度升高有变大趋势.随沉积温度升高,薄膜硬度从150℃的8 GPa增加到350℃的10 GPa左右,随基底温度升高,薄膜的硬度增加.弹性模量随温度的变化趋势与硬度的基本一致.在可见光区域AlN薄膜透过率超过90％,基本属于透明膜.基底温度对薄膜折射率也有较明显影响,折射率大致随温度升高而增大,但由椭偏测试及透射谱线分析得到的厚度结果表明,随温度升高,AlN薄膜的沉积速率下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董闯	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	198	2023	23.0	34.0
2	李晓娜	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	25	152	7.0	11.0
3	黄美东	天津师范大学物理与电子信息学院	56	185	7.0	10.0
4	张琳琳	天津师范大学物理与电子信息学院	5	51	3.0	5.0
5	王丽格	天津师范大学物理与电子信息学院	8	60	4.0	7.0
6	佟莉娜	天津师范大学物理与电子信息学院	7	57	4.0	7.0