深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能

• 作者: 于宗光 周昕杰 徐睿 李蕾蕾
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 518-521
• 分类号: TN303
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2011.03.017

摘要

当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18 μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56 μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		140	722	12.0	22.0
2	徐睿		18	61	5.0	7.0
3	周昕杰	东南大学电子科学与工程学院	13	24	3.0	3.0
5	李蕾蕾	西安电子科技大学微电子学院	8	20	3.0	4.0