脉冲磁控溅射法制备单斜相氧化铒涂层

• 作者: 吴平 宋斌斌 李新连 邱宏 陈森
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化铒 脉冲磁控溅射 单斜晶相
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 530-536
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78 W,93 W和124 W以及衬底温度分别为室温,500℃及677℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜、纳米压痕、X射线衍射和掠入射X射线衍射法研究了涂层的形貌、力学性能及物相结构.测量了涂层的电学性能.结果显示,脉冲磁控溅射沉积氧化铒涂层具有较高的沉积速率.实验制备得到了单斜相结构的氧化铒涂层.提高溅射功率时,沉积速率从28 nm/min增大至68 nm/min,涂层的结晶质量显著下降.提高衬底温度至500℃和677℃时,单斜相衍射峰强度下降.分析认为,较低的衬底温度和较高沉积速率有利于氧化铒涂层形成单斜相结构.涂层的硬度和弹性模量分别为11.9一15.7 GPa和179-225 GPa.室温至677℃制备的涂层均具有较高的电阻率,为(1.5-3.1)×1012Ω·cm,满足聚变堆包层绝缘涂层的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴平	北京科技大学应用科学学院物理系	93	481	11.0	17.0
2	邱宏	北京科技大学应用科学学院物理系	37	225	9.0	13.0
3	陈森	北京科技大学应用科学学院物理系	37	166	7.0	10.0
4	宋斌斌	北京科技大学应用科学学院物理系	3	9	2.0	3.0
5	李新连	北京科技大学应用科学学院物理系	2	9	2.0	2.0