快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响

• 作者: 吴建海 薛晶晶 郝秋艳 陈贵锋 马巧云 马晓薇
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 化学工程、材料工程
• 页码范围: 928-933,953
• 页数: 7页
• 分类号: TU411|TU472.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2011.05.026

摘要

研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝秋艳		37	179	9.0	12.0
2	陈贵锋		22	59	5.0	6.0
3	吴建海		8	5	1.0	1.0
4	马巧云		6	19	3.0	4.0
5	薛晶晶		3	6	2.0	2.0
6	马晓薇		2	4	1.0	2.0