SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究

• 作者: 于宗光 周昕杰 李蕾蕾 肖志强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS EEPROM SOI 辐照 能带
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 759-766
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周昕杰	东南大学电子科学与工程学院	4	13	3.0	3.0