SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应

• 作者: 周淼 徐大为 徐静 洪根深 肖志强 陈正才 高向东
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS EEPROM器件 电离总剂量辐射 绝缘体上硅
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 613-615
• 页数: 3页
• 分类号: TN43|TL84
• 字数: 1475字
• 语种: 中文

摘要

采用0.6μ m SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6 μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性.辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V.利用Co-60 γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	徐大为		5	13	2.0	3.0
3	徐静		16	27	4.0	5.0
4	陈正才		5	12	2.0	3.0
5	高向东		6	22	4.0	4.0
6	周淼		4	13	2.0	3.0
7	肖志强		10	60	5.0	7.0