纳米VOx薄膜在空气中的电学特性退化研究

• 作者: 吴志明 王涛 罗振飞 蒋亚东 许向东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米VOx薄膜 磁控溅射 电学特性 退化
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 622-627
• 分类号: O484.42
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在氮化硅衬底上沉积纳米VOx薄膜,利用X射线衍射、原子力显微镜分别对薄膜的结晶形态及表面形貌进行表征.研究了纳米VOx薄膜在空气中长时间暴露后的方块电阻、热滞回线等电学特性的变化情况,并分析这些变化给器件带来的影响.利用X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪分析对比新制与久置薄膜的组分及分子结构差异.研究表明,暴露在空气中的纳米VOx薄膜方块电阻增大是因为低价钒离子被吸附氧原子氧化成5价钒的缘故,热滞回线形状发生变化的原因是由于薄膜原子与吸附原子、官能团成键后影响了纳米VOx薄膜的分子结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
3	王涛	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	55	346	11.0	14.0
4	许向东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	68	6.0	8.0
5	罗振飞	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	25	3.0	5.0