基于SCR的SOI ESD保护器件研究

• 作者: 何大伟 俞跃辉 夏超 张有为 徐大伟 王中健 程新红
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI ESD SCR Sentaurus 保护器件
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 17-22
• 分类号: TN34
• 字数: 3024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.004

摘要

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.