沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响

• 作者: 朱秀红 郑茂盛 陈光华
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HWA-MWECR-CVD系统 微晶硅薄膜 相变 沉积速率 光电性能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 103-108
• 分类号: O484
• 字数: 652字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.003

摘要

本文采用HWA-MWECR - CVD系统制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响.实验结果表明:当氢稀释比为94％、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86* 104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9％的光致衰退速率等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑茂盛	西北大学物理系	66	363	12.0	15.0
2	陈光华	北京工业大学材料科学与工程学院	65	396	11.0	16.0
3	朱秀红	西北大学物理系	3	16	2.0	3.0