ITO靶材的毒化机理研究现状

• 作者: 姜鹤 孙本双 王东新 王燕昌 钟景明
• 来源期刊: 湖南有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: ITO靶材 溅射 毒化
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 46-50
• 分类号: TG146.3+6
• 字数: 5531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5540.2012.01.014

摘要

为了更好的了解ITO靶材的毒化机理,分别介绍了磁控溅射技术制备薄膜的基本原理,综述了ITO靶材在溅射过程中的毒化机理研究的现状,分析了影响ITO靶材毒化现象可能的原因,详细介绍了现阶段3种解决ITO靶材毒化现象的方法:不同工艺制备ITO靶材的影响、最佳Sn掺杂量和其他元素的掺杂等的影响以及溅射工艺的影响,指出了他们各自缓解ITO靶材毒化现象的原理.并且展望了未来解决我国ITO靶材毒化问题的发展方向.为我国ITO靶材的发展提供一定的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景明		26	162	6.0	11.0
2	孙本双		12	112	4.0	10.0
3	王东新		19	128	6.0	11.0
4	王燕昌	宁夏大学物理电气信息学院	45	295	11.0	16.0
5	姜鹤	宁夏大学物理电气信息学院	1	2	1.0	1.0